Основные характеристики:

• Напряжение питания ядра от 3,3 В до 5,0 В
• Ток потребления 7,0 мА
• Разрядность 18 бит
• Частота выборок 0,2 МВыб/с
• Интегральная нелинейность 4,0 МЗР
• Дифференциальная нелинейность 0,5 МЗР